2016年12月8日FCC發(fā)布了draft版本的KDB 484596 D01，允許獨立產(chǎn)品授權認證申請時(shí)引用數據， 此KDB適用于設計和內部印刷電路相同的產(chǎn)品申請不同的FCC ID時(shí)的情形。1. 引用數據的報告
新版的EN 300 328 V2.1.1 (2016-11)在十一月份公布，生效時(shí)間定義在2017/8/31，強制時(shí)間為2018/8/31，主要與前一版V1.9.1的差異在于：1、法規版本對應指令不同: V1.9.1為R&TTE (1995/5/EC)/
低壓熔斷器產(chǎn)品強制性認證依據的標準GB 13539.1-2015《低壓熔斷器 第1部分：基本要求》已于2015年9月11日發(fā)布，2016年10月1日實(shí)施；GB/T 13539.2-2015《低壓熔斷器 第2部分：專(zhuān)職人員
2013年5月31日，CQC按照國家認監委相關(guān)公告要求，發(fā)布并實(shí)施了《強制性產(chǎn)品認證實(shí)施細則 低壓成套開(kāi)關(guān)設備》（CQC-C010-2013，以下簡(jiǎn)稱(chēng)《細則》），《細則》于2014年9月1日進(jìn)行
CISPR 16-1-5:2014+A1:2016 specifies the requirements for calibration sites in the frequency range 5 MHz to 18 GHz used to perform antenna calibrations according to CISPR 16-1-6.
有很多辦法減小ESD產(chǎn)生的EMI影響：完全阻止ESD的產(chǎn)生，阻止EMI耦合到電路或設備以及通過(guò)設計工藝增加設備固有的抗騷擾性。為了避免設備功能失效，可以例如將計算機鎖定，將包含集成電路
靜電放電一般用ESD表示，它會(huì )導致電子設備嚴重的損壞或操作失常。半導體專(zhuān)家以及設備的用戶(hù)都在想辦法抑制ESD，ESD能量的傳播有兩種方式：放電電流通過(guò)導體傳播或激勵一定頻譜寬度
每次雷電的產(chǎn)生其實(shí)是大量的正和負電離子互相中和時(shí)的放電現象，這種現象可以投過(guò)云層內部，云塊與云塊之間，云塊與空氣，云塊與大地的瞬間放電中和形式，當然以直接雷的破壞性而言，莫過(guò)于云塊
眾所周知，電路由器件構成，但是器件的EMC性能往往被忽略掉。所以在設計產(chǎn)品電路時(shí)，考慮器件的EMC性能還是比較重要的。例如一個(gè)抗干擾能力較強的CPU芯片，由于本身就能抵抗一些
PCB是EMC技術(shù)中最值得探討的部分，是設備工作頻率最高的部分，同時(shí)，往往也是電平最低、最為敏感的部分。在PCB的EMC設計中，實(shí)際上已經(jīng)包含了接地設計、去耦旁路設計等。一個(gè)有著(zhù)良好
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