靜電放電一般用ESD表示，它會(huì )導致電子設備嚴重的損壞或操作失常。半導體專(zhuān)家以及設備的用戶(hù)都在想辦法抑制ESD，ESD能量的傳播有兩種方式：放電電流通過(guò)導體傳播或激勵一定頻譜寬度的脈沖能量在空間傳播。（靜電放電發(fā)生器測試產(chǎn)品的靜電放電）
       當兩個(gè)物體接觸時(shí)，其中一個(gè)趨于從另一個(gè)吸引電子，因而二者會(huì )形成不同的充電電位。物體通過(guò)摩擦或感應積累電量。摩擦起電是一個(gè)機械過(guò)程，依靠相對表面移動(dòng)傳送電量。傳送的電量取決于接觸的次數、表面粗糙度、濕度、接觸壓力、摩擦物質(zhì)的摩擦特性以及相對運動(dòng)速度。一個(gè)人或一輛車(chē)所能帶的電量的電壓值很大程度上由它們的電容決定。
       靜電放電在一個(gè)對地短接的物體暴露在靜電場(chǎng)中時(shí)發(fā)生。兩個(gè)物體之間的電位差將引起放電電流，傳送足夠的電量以抵消電位差。這個(gè)高速電量的傳送過(guò)程即為ESD。在這個(gè)過(guò)程中，將產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流以及電磁場(chǎng)。
       與ESD相關(guān)的EMI能量上線(xiàn)頻率可以超過(guò)1GHz，取決于電平、相對濕度、靠近速度和放電物體的形狀。在這個(gè)頻率上，典型的設備電纜甚至印制板上的走線(xiàn)會(huì )變成非常有效的接收天線(xiàn)。因而，對于典型的模擬或數字電子設備，ESD傾向于感應出高電平的噪聲。
       在ESD中，波源附近的電磁場(chǎng)常顯示出以下的趨勢：當電壓相對來(lái)說(shuō)比較低時(shí)，脈沖窄并且上升沿陡，隨著(zhù)電壓值增加時(shí)，脈沖變成具有長(cháng)得拖尾的衰減振蕩波。
       ESD場(chǎng)的研究采用解析分析的方法，它是基于一個(gè)簡(jiǎn)單的電偶極子模型。電火花模型簡(jiǎn)化為短的、與時(shí)間相關(guān)的線(xiàn)性元，位于無(wú)限大的接地平板上。輻射場(chǎng)是由兩個(gè)因素決定的：瞬態(tài)電流的值以及它的上升時(shí)間。其中一個(gè)因素可能比另一個(gè)更顯著(zhù)，這取決于觀(guān)測點(diǎn)的位置是在ESD火花的近場(chǎng)區還是在遠場(chǎng)區。
       電場(chǎng)傾向于激勵高阻天線(xiàn)和電壓敏感性電路，因而可以通過(guò)使某些潛在天線(xiàn)的阻抗變小而使這種激勵減小。但這樣可能增強磁場(chǎng)騷擾，因此磁場(chǎng)比電場(chǎng)更容易穿透低阻抗屏蔽。磁場(chǎng)容易激發(fā)孔洞和縫隙泄露，最容易被低阻天線(xiàn)特別是電路回路接收，因而避免使用回路是一條好的設計導則。但因為回路很難識別，不使用回路難以實(shí)現。
       解析分析顯示ESD近場(chǎng)是磁場(chǎng)，磁場(chǎng)直接依賴(lài)于ESD電流。有此可以預測最大的場(chǎng)強與最大的電流電平有關(guān)。磁場(chǎng)的遠場(chǎng)與電場(chǎng)一樣，依賴(lài)于對時(shí)間的導數。因而，具有低電平，高速上升沿的ESD放電火花將對周?chē)脑O備產(chǎn)生最大的騷擾。