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半導體器件生產(chǎn)中的靜電常識
作者:  日期:2014-03-07  瀏覽次數:1708次  來(lái)源:
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大多數的半導體器件都是靜電敏感器件,在生產(chǎn)過(guò)程中靜電的產(chǎn)生是無(wú)處不在的,因此必須做好對靜電防護的重視。另外,廠(chǎng)商還應建立防靜電系統的周期側試和監控制度,保證防靜電設施起到有效的防護作用,避免和減少器件在生產(chǎn)過(guò)程中的靜電損傷。

半導體技術(shù)日益發(fā)展的今天,也出現了諸多問(wèn)題其中表電就是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。如互連導線(xiàn)寬度與間距越來(lái)越小,而集成電路的密度越來(lái)越高,而器件的耐靜電擊穿電壓也越來(lái)越低。靜電防護在生產(chǎn)中對設備的影響還是很大的,生產(chǎn)廠(chǎng)必須全面的防護靜電體系。

1.靜電危害

1.1靜電吸附

器件在生廠(chǎng)過(guò)程中,由于大量使用了石英及高分子物質(zhì)制成器具材料,其絕緣度是相當高的,在使用的過(guò)程中一些摩擦會(huì )造成電荷不斷積聚,電位高高。能過(guò)靜電的力學(xué)效應,工作場(chǎng)所的浮游塵埃很容易吸附在芯片的表面,進(jìn)而改變了線(xiàn)條間阻抗,影響到半導體器件的功能與壽命。

1.2靜電放電(ESD)擊穿

電擊穿是由靜電放電引起的主要危害,主要有表面擊穿、介質(zhì)擊穿、熱二次擊穿、金屬鍍層熔融、體擊穿、氣弧放電等,嚴重的可能造成器件硬擊穿或軟擊穿。
2.
靜電損傷

2.1累積性及潛在性

一些電子元器件在受到靜電損傷后,性能沒(méi)有明顯的下降,然而多次累加后形成了損傷。

2.2隱蔽性

靜電還具有隱蔽性,除非發(fā)生靜電放電,人體不能直接感知靜電,而且發(fā)生靜電放電人體也不一定能有電擊的感覺(jué),這是因為人體感知的靜電放電電壓為2-3 kV。

2.3復雜性

靜電損傷引起的失效,需使用掃描電鏡等高精密儀器發(fā)現。即便這樣,有些靜電損傷現象也難以與其他原因造成的損傷加以區別,使人誤把靜電損傷失效當作其他失效。

2.4隨機性

每一個(gè)元器件從生產(chǎn)一直到損壞以前,所有的過(guò)程都有可能受到靜電威脅,而這些靜電產(chǎn)生是隨機性的。

廠(chǎng)商要對器件采取防靜電設計,在生產(chǎn)過(guò)程中對靜電采取屏蔽、泄漏及中和等操作,可采取靜電接地、穿防靜電服、使用防靜電臺面、工具、地面及周轉箱、防靜電包裝袋等措施,從而建立起一個(gè)完整的靜電防護體系。

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