靜電的產(chǎn)生是因為不同物質(zhì)的物體互相摩擦時(shí)，正負電荷分別積蓄在兩種物體上。例如，化纖衣物的摩擦引起的靜電，當它們與其他系統接觸時(shí)便會(huì )放電形成靜電放電干擾。其放電電壓可高達2?30kV。實(shí)驗證明，人體所帶的靜電一般為10V?15kV。

在電子控制設備外殼上放電是經(jīng)常見(jiàn)到的放電現象，放電電流流過(guò)金屬外殼，產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)，通過(guò)分布阻抗鍋臺到殼內的電源線(xiàn)、信號線(xiàn)等內部走線(xiàn)，引起誤功作。電子控制設備的信號線(xiàn)或地線(xiàn)上也可直接放電，如鍵盤(pán)或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴重。

現在的電子設備廣泛使用的CMOS芯片，是最易受靜電干擾的器件。盡管現在應用的大多數CMOS器件采取了一些保護措施來(lái)防止靜電干擾，但是，由于器件本身結構的特點(diǎn)，對靜電引起的破壞仍然不可掉以輕心。CMOS器件結構的顯著(zhù)特點(diǎn)是輸入阻抗極高，可達1000M O；內部的極間電容量很小，不超過(guò)1pF。當帶有靜電的人體接觸到CMOS器件的控制極時(shí)，人體向cMOS器件放電。由于輸入阻抗極高，放電電荷不能泄入接地極，而是注入控制極，極間電容立即被充電到很高電壓，把氧化膜擊穿；放電電流流入器件內部，瞬時(shí)值高達幾十安的放電電流使器件發(fā)熱，迅速燒熔，導致?lián)p壞。

完全杜絕靜電放電現象是比較困難的。但在線(xiàn)路原理、結構設計、安裝環(huán)境和操作步驟等方面采取適當措施，則可使靜電放電的危害程度降到最低。

抑制靜電放電干擾必須從兩方面著(zhù)手：避免產(chǎn)生靜電；切斷靜電放電電流途徑。抑制靜電放電干擾的措施有如下幾種：

（1）CMOS器件的防靜電方法。其一是輸入引腳不能浮空。如果輸入引腳浮空，在輸入引腳上很容易積累電荷。盡管CMOS器件的輸入端都有保護電路，靜電感應一般不會(huì )損壞器件，但很容易使輸入引腳電位處于0?1V間的過(guò)渡區域。這時(shí)反相器上、下兩個(gè)場(chǎng)效應管均會(huì )導通，使電路功耗大大增加。其二是設法降低輸入電阻，可以將輸入引腳與電源之間或與地之間接入一個(gè)負載電阻(1?10kO)，為靜電電荷提供泄流通路。其三是當用CMOS器件與長(cháng)傳輸線(xiàn)連接時(shí)，應通過(guò)一個(gè)們rL緩沖門(mén)電路之后再與長(cháng)傳輸線(xiàn)相連。

(2)環(huán)境濕度以維持在45％?65％為宜。因為靜電的生成與濕度有密切關(guān)系，環(huán)境越是干燥，越容易產(chǎn)生靜電。

(3)機房地板應使用絕緣性能差的材料，如盡量鋪設有導電性的塑料地板。

(4)檢驗設備時(shí)，最好在操作臺上放置接地的金屬極，以使操作人員身上的靜電立刻入地。

(5)操作人員工作時(shí)，不可穿容易帶靜電的化纖衣服和鞋帽等。

(6)操作人員在工作時(shí)本身應有接地措施，如手腕上系戴金屬接地的鏈閡等。

(7)焊接元器件時(shí)，務(wù)必使用烙鐵頭接地的電烙鐵。其他設備、測試儀器及工具也應有良好接地措施。

(8)搬運、儲存及裝配作業(yè)過(guò)程中，應注意使CMOS器件的各個(gè)引腳保持相同電位，如用鋁箔包裝，或者放于有良好導電性的包裝袋或盒子中。

(9)若難以營(yíng)造不易產(chǎn)生靜電的環(huán)境，則應從提高電子設備表面的絕緣能力著(zhù)手。在可能發(fā)生靜電放電部位或裝置加強絕緣或加以屏蔽，并接地良好。例如：柜體表面涂刷絕緣漆；操作開(kāi)關(guān)等部位留足隔離間隙等；也可以用絕緣薄膜等遮蓋整個(gè)機柜。這樣，雖然帶電的人或物體觸碰設備，也不致于產(chǎn)生放電電流。